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IRFR/U3911PbF
10000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd, Cds
SHORTED
12
I D = 8.4A
V DS = 80V
V DS = 50V
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
10
V DS = 20V
1000
Ciss
Coss
7
5
100
2
Crss
10
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
0
0
5 10         15
Q G , Total Gate Charge (nC)
20
25
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100.00
1000
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
10.00
T J = 175°C
100
LIMITED BY R DS(on)
10
100μsec
1.00
T J = 25°C
1
1msec
Tc = 25°C
0.10
VGS = 0V
0.1
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1
10
100
1000
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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